问答题给出投影掩模板的定义。投影掩模板和光掩模板的区别是什么?
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
1.问答题光刻中采用步进扫描技术获得了什么好处?
3.问答题例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。
4.问答题描述曝光波长和图像分辨率之间的关系。
5.问答题例举并描出旋转涂胶的4个基本步骤。
6.问答题在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么?
8.问答题解释什么是暗场掩模板。
9.问答题例举双大马士革金属化过程的10个步骤。
最新试题
N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
题型:判断题
双极型晶体管内部有()个极,()个区,()个PN结。
题型:填空题
理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上,栅极分压占比小于50%。
题型:判断题
理想的MOS管,栅极加上偏压之后,沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。
题型:判断题
MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压,即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。
题型:判断题
p型衬底材料的MOS管,其半导体的掺杂浓度增大,阈值电压随之增大。
题型:判断题
栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。
题型:判断题
MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。
题型:判断题
P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
题型:判断题
1947年,()等人制造了第一个晶体管。
题型:填空题