问答题例出光刻的8个步骤,并对每一步做出简要解释。
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MOS管阈值电压的单位是eV。
题型:判断题
理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上,栅极分压占比小于50%。
题型:判断题
MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压,即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。
题型:判断题
1947年,()等人制造了第一个晶体管。
题型:填空题
MOS管可以分为4类型,其中p沟增强型MOS的载流子主要是电子。
题型:判断题
理想的MOS管,栅极加上偏压之后,沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。
题型:判断题
晶体管的全部应用模式中,共有()种放大倍数。
题型:填空题
p型衬底材料的MOS管,其半导体的掺杂浓度增大,阈值电压随之增大。
题型:判断题
当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时,漏极将失去对漏源电流的控制能力。
题型:判断题
()是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。
题型:填空题