例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。

问答题例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。

1.问答题什么是结深？

硅片中p型杂质和n型杂质相遇的深度被称为结深。

2.问答题叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。

3.问答题哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。

4.问答题定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率？

5.问答题例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。

连续喷雾显影，旋覆浸没显影显影温度，显影时间，显影液量，硅片洗盘，当量浓度，清洗，排风。

6.问答题解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？

光刻胶选择比是指显影液与曝光的光刻胶反应的速度快慢，选择比越高，反应速度越快，所以要比例高。

7.问答题解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？

光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域，其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中。

8.问答题给出投影掩模板的定义。投影掩模板和光掩模板的区别是什么？

9.问答题光刻中采用步进扫描技术获得了什么好处？

增大了曝光场，可以获得较大的芯片尺寸，一次曝光可以多曝光些芯片，它还具有在整个扫描过程调节聚焦的能力。

10.问答题解释扫描投影光刻机是怎样工作的？扫描投影光刻机努力解决什么问题？