A、原子束
B、分子束
C、中子束
D、离子束
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B.剂量
A.能量
B.剂量
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A.衬底制备
B.原位HCl腐蚀
C.生长温度,生长压力,生长速度
D.尾气的处理
A.位错就是由弹性形变造成的
B.位错就是由重力造成的
C.位错就是由范性形变造成的
D.以上答案都不对
A、单基极条图形
B、双基极条图形
C、基极和集电极引线孔都是马蹄形结构
D、梳状结构
A、盐酸
B、硫酸
C、硝酸
D、氢氟酸
A、逻辑设计
B、物理设计
C、电路设计
D、系统设计
A.金属、石墨、人体、大地
B.橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷
C.硅、锗、砷化镓、磷化铟
D.各种酸、碱、盐的水溶液
A.硅中掺有元素杂质磷(P)、砷(As)
B.硅中掺有元素杂质硼B.、铝(Al)
C.砷化镓掺有元素杂质硅(Si)、碲(TE)
D.砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁
最新试题
迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度,另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电导率就越高。()
在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。()
片状源扩散具有设备简单,操作方便,晶片缺陷少,均匀性、重复性和表面质量都较好,适于批量生产,应用越来越普遍。()
金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩膜,带胶蒸发或溅射所需的金属,然后在去除光致抗蚀剂膜的同时,把胶膜上的金属一起去除干净。()
可靠性筛选可以剔除早期失效的产品。()
厚膜浆料存在触变性,流体受到外力作用时黏度迅速下降,外力消失后,黏度迅速恢复原状。()
抛光片的电学参数包括电阻率,载流子浓度,迁移率,直径、厚度、主参考面等。()
设备、试剂、气瓶等所有物品不需经严格清洁处理,可直接进入净化区。()
逻辑电路只能处理“非O即1“这两个值。()
光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。()