下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量（）

只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是（）。 

多晶硅的生产方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重掺硅废料提纯法4）西门子改良法5）SiCl4法6）气液沉淀法7）流化床法

如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。

载流子的扩散运动产生扩散电流，漂移运动产生（）电流。

直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）

那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（）

下列选项中，对从石英到单晶硅的工艺流程是（）

杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）

对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。