A、1h
B、2h
C、3h
D、4h
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A、1
B、2
C、3
D、4
A、3
B、6
C、10
D、20
A、100mm×100mm×100mm
B、50mm×50mm×50mm
C、150mm×150mm×150mm
D、70.7mm×70.7mm×70.7mm
A、烧结普通砖
B、烧结多孔砖
C、蒸压加气混凝土
D、蒸压灰砂砖
A、最大
B、最小
C、平均
D、中间
A、五个碳化后试件的平均抗压强度/五个对比试件的平均抗压强度.0.01
B、五个碳化后试件的平均抗压强度/五个对比试件的平均抗压强度.0.1
C、五个对比试件的平均抗压强度/五个碳化后试件的平均抗压强度.0.01
D、五个对比试件的平均抗压强度/五个碳化后试件的平均抗压强度.0.1
A、五个饱水面干试件的平均抗压强度/五个气干状态的对比试件的平均抗压强度.0.01
B、五个饱水面干试件的平均抗压强度/五个气干状态的对比试件的平均抗压强度.0.1
C、五个气干状态的对比试件的平均抗压强度/五个饱水面干试件的平均抗压强度.0.01
D、五个气干状态的对比试件的平均抗压强度/五个饱水面干试件的平均抗压强度.0.1
A、1mm/m
B、0.1mm/m
C、0.01mm/m
D、0.001mm/m
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
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最新试题
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni>>/ND-NA/时,半导体具有()半导体的导电特性。
CZ法的主要流程工艺顺序正确的是()
一块半导体寿命τ=15µs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()。
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
PN结的基本特性是()
制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括()
那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()
铸造多晶硅中氢的主要作用包括()
下列是晶体的是()。
对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与()。