A、同组3个试件测值中,最大值和最小值与中间值的差值均超过中间值的15%时,该组试件的试验结果无效。
B、不总是能把同组3个试件测值的平均值作为该组试件的抗压强度值。
C、同组3个试件测值中,若出现最大值或最小值与中间值的差值超过中间值的15%,则该组试件的试验结果无效。
D、同组3个试件测值中,最大值或最小值只要有1个且仅有1个与中间值的差值超过中间值的15%,就要把最大值和最小值一并舍除。
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A、<C30强度等级的砼加荷速度取每秒12.0~20.0kN
B、≥C30且<C60强度等级的砼加荷速度取每秒20.0~32.0kN
C、≥C60强度等级的砼加荷速度取每秒32.0~40.0kN
D、C25级砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
A、<C30强度等级的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60强度等级的砼加荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60强度等级的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、A、B、C选项都对
A、小于C60强度等级的100×100×100mm立方体试件为0.95
B、小于C60强度等级的200×200×200mm立方体试件为1.05
C、小于C60强度等级的Φ100×200圆柱体试件为0.95
D、不小于C60强度等级的砼应由试验确定
A、39.0MPa
B、18.2MPa
C、10.2MPa
D、10.8MPa
A、同组3个试件测值中,最大值和最小值与中间值的差值均超过中间值的15%时,该组试件的试验结果无效。
B、不总是能把同组3个试件测值的平均值作为该组试件的抗压强度值。
C、同组3个试件测值中,若出现最大值或最小值与中间值的差值超过中间值的15%,则该组试件的试验结果无效。
D、同组3个试件测值中,最大值或最小值只要有1个且仅有1个与中间值的差值超过中间值的15%,就要把最大值和最小值一并舍除。
A、边长100mm的C40级砼加荷速度取每秒5.0~8.0kN
B、边长150mm的C70级砼加荷速度取每秒18.0~22.5kN
C、边长200mm的C20级砼加荷速度取每秒12.0~20.0kN
D、边长200mm的C40级砼加荷速度取每秒20.0~32.0kN
A、<C30强度等级的砼加荷速度取每秒6.75~11.25kN
B、≥C30且<C60强度等级的砼加荷速度取每秒11.25~18.00kN
C、≥C60强度等级的砼加荷速度取每秒18.00~22.50kN
A、<C30强度等级的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60强度等级的砼加荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60强度等级的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、强度等级越高,加荷速度应越小
A、试件拆模时间
B、试件移入标准养护室时间
C、拌合物搅拌加水时间
D、拌合物拌制完成时间
A、温度20±2℃、相对湿度95%以上的恒温、恒湿环境
B、室内阴凉场所
C、结构或构件邻近区域砂堆中
D、遮阳的屋檐下
最新试题
下列哪个不是单晶常用的晶向()
最有效的复合中心能级位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能级位置在()附近,常见的是少子陷阱。
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。
只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是()。
如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为()。
与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量()
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
把磷化镓在氮气氛中退火,会有氮取代部分的磷,这会在磷化镓中出现()。
表面态中性能级位于费米能级以上时,该表面态为();
悬浮区熔的优点不包括()