A、变形测量仪应安装于试件一侧
B、变形测量仪应安装在垂直于试件承压面的4条棱上
C、变形测量仪应安装于试件两侧的中线上并对称于试件的两端
D、变形测量仪应安装于试件两个承压面上,承压面应预先开好安装槽
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
A、每次试验应制备6个试件
B、每次试验的6个试件,3个用于进行轴心抗压强度试验,另3个用于测定弹性模量
C、每次试验的6个试件都是用于测定弹性模量,因为标准规定静力受压弹性模量试验是6个试件为一组
D、每次试验的6个试件,1个用于进行轴心抗压强度试验,另5个用于测定弹性模量
A、小于C60强度等级的100×100×300mm棱柱体试件为1.05
B、小于C60强度等级的100×100×300mm棱柱体试件为0.95
C、小于C60强度等级的200×200×400mm棱柱体试件为0.95
D、小于C60强度等级的200×200×400mm棱柱体试件为1.05
A、11.9MPa
B、21.1MPa
C、47.5MPa
D、45.1MPa
A、同组3个试件测值中,最大值和最小值与中间值的差值均超过中间值的15%时,该组试件的试验结果无效。
B、不总是能把同组3个试件测值的平均值作为该组试件的抗压强度值。
C、同组3个试件测值中,若出现最大值或最小值与中间值的差值超过中间值的15%,则该组试件的试验结果无效。
D、同组3个试件测值中,最大值或最小值只要有1个且仅有1个与中间值的差值超过中间值的15%,就要把最大值和最小值一并舍除。
A、<C30强度等级的砼加荷速度取每秒12.0~20.0kN
B、≥C30且<C60强度等级的砼加荷速度取每秒20.0~32.0kN
C、≥C60强度等级的砼加荷速度取每秒32.0~40.0kN
D、C25级砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
A、<C30强度等级的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60强度等级的砼加荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60强度等级的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、A、B、C选项都对
A、小于C60强度等级的100×100×100mm立方体试件为0.95
B、小于C60强度等级的200×200×200mm立方体试件为1.05
C、小于C60强度等级的Φ100×200圆柱体试件为0.95
D、不小于C60强度等级的砼应由试验确定
A、39.0MPa
B、18.2MPa
C、10.2MPa
D、10.8MPa
A、同组3个试件测值中,最大值和最小值与中间值的差值均超过中间值的15%时,该组试件的试验结果无效。
B、不总是能把同组3个试件测值的平均值作为该组试件的抗压强度值。
C、同组3个试件测值中,若出现最大值或最小值与中间值的差值超过中间值的15%,则该组试件的试验结果无效。
D、同组3个试件测值中,最大值或最小值只要有1个且仅有1个与中间值的差值超过中间值的15%,就要把最大值和最小值一并舍除。
A、边长100mm的C40级砼加荷速度取每秒5.0~8.0kN
B、边长150mm的C70级砼加荷速度取每秒18.0~22.5kN
C、边长200mm的C20级砼加荷速度取每秒12.0~20.0kN
D、边长200mm的C40级砼加荷速度取每秒20.0~32.0kN
最新试题
原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速()
一块半导体寿命τ=15µs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()。
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni>>/ND-NA/时,半导体具有()半导体的导电特性。
光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下,产生().使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。
制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括()
与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量()
改良西门子法的显著特点不包括()
在通常情况下,GaN呈()型结构。
多晶硅的生产方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重掺硅废料提纯法4)西门子改良法5)SiCl4法6)气液沉淀法7)流化床法
PN结的基本特性是()