A、中强钢丝
B、钢绞线
C、热处理钢筋
D、高强钢丝
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A、3%
B、6%
C、8%
D、10%
A、实验压力
B、压入深度
C、维持时间
D、压头类型
A、折叠
B、裂纹
C、局部颗粒粗大
D、过烧
A、静载锚固性能
B、疲劳载荷性能
C、周期载荷性能
D、辅助性能
A、产品代号
B、预应力钢材直径
C、预应力钢材等级
D、预应力钢材根数
A、JYM
B、YJJ
C、YJM
D、BJM
A、多孔夹片锚具
B、墩头锚具
C、螺母锚具
D、挤压锚具
A、锥形锚具
B、墩头锚具
C、压花锚具
D、挤压锚具
A、施工时使用锚下控制力
B、锚下控制力比锚外控制力小
C、两者的差是锚头损失
D、锚外控制力等于油压值除预应力筋的面积
A、锚具夹持部分钢筋孔不直
B、构件较短
C、预应力筋的护套破损
D、锚环和夹头硬度不够
最新试题
下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量()
PN结的基本特性是()
把磷化镓在氮气氛中退火,会有氮取代部分的磷,这会在磷化镓中出现()。
CZ法的主要流程工艺顺序正确的是()
悬浮区熔的优点不包括()
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
一块半导体寿命τ=15µs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()。
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是()
最有效的复合中心能级位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能级位置在()附近,常见的是少子陷阱。