A、JYM
B、YJJ
C、YJM
D、BJM
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A、多孔夹片锚具
B、墩头锚具
C、螺母锚具
D、挤压锚具
A、锥形锚具
B、墩头锚具
C、压花锚具
D、挤压锚具
A、施工时使用锚下控制力
B、锚下控制力比锚外控制力小
C、两者的差是锚头损失
D、锚外控制力等于油压值除预应力筋的面积
A、锚具夹持部分钢筋孔不直
B、构件较短
C、预应力筋的护套破损
D、锚环和夹头硬度不够
A、使用位移控制方式
B、双向张拉
C、超张拉回松技术
D、内固定端使用回缩量小的锚具
A、使预应力筋与结构混凝土结为一体
B、提高构件的刚度
C、限定预应力筋的位置
D、防止预应力筋的腐蚀
A、锚具变形
B、夹片位移
C、混凝土收缩
D、预应力筋回缩
A、达到95%预应力筋抗拉强度后,中心残余挠度小于垫板尺寸的1/600
B、达到90%预应力筋抗拉强度后,中心残余挠度小于垫板尺寸的1/500
C、达到120%预应力筋抗拉强度后,不得出现裂纹或破坏
D、达到110%预应力筋抗拉强度后,不得出现裂纹或破坏
A、镦头式
B、夹片式
C、压花式
D、螺母式
A、有防止腐蚀和机械损伤的措施
B、凸出式锚具的保护层厚度不小于50mm
C、外露预应力筋的保护层厚度在正常环境中不小于20mm
D、外露预应力筋的保护层厚度在腐蚀环境中不小于30mm
最新试题
在通常情况下,GaN呈()型结构。
把磷化镓在氮气氛中退火,会有氮取代部分的磷,这会在磷化镓中出现()。
只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是()。
光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下,产生().使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。
下列是晶体的是()。
制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括()
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()
直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段?()
一块半导体寿命τ=15µs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()。