问答题列举出你见到的、想到的不同类型的集成电路及其主要作用？
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1.单项选择题厚膜电阻的成分，一是导体颗粒，二是（）。
A.有机物颗粒
B.塑料颗粒
C.玻璃颗粒
D.陶瓷颗粒
2.多项选择题刻蚀过程中聚合物形成的来源有（）。
A.光刻胶
B.Si衬底
C.刻蚀气体中的碳和其它物质组成的化合物
D.刻蚀溶液
3.单项选择题掺杂后退火时间一般在（）。
A.30~60分钟
B.10~20分钟
C.60~90分钟
D.100~120分钟
4.多项选择题金属化中可选用的金属材料有（）。
A.银
B.金
C.铝
D.铜
5.多项选择题常压的硅外延方法有（）。
A.四氯化硅氢还原法
B.三氯氢硅氢还原法
C.二氯氢硅烷法
D.硅烷热分解法
6.多项选择题光刻工艺对准误差包括（）。
A.上下偏移
B.X或Y方向的平移
C.转动
D.套准误差
7.多项选择题消除鸟嘴效应的方法有（）。
A.选择合适的掩蔽膜
B.在氧化前，将窗口处的硅腐蚀掉深度，再进行局部氧化
C.退火
D.高压氧化工艺
8.单项选择题下面哪道工序主要是针对晶圆切割之后在显微镜下进行晶圆r的外观检查，是否有出现废品？（）
A.一光检查
B.三光检查
C.二光检查
D.四光检查
10.多项选择题互连工艺中AL的制备可选用（）。
A.电镀
B.CVD
C.MBE
D.PVD
