载流子的漂移运动：载流子在电场作用下的运动 载流子的扩散运动：载流子在化学势作用下运动
最新试题
常压的硅外延方法有（）。
掺杂后退火时间一般在（）。
CE定律发展面临的问题包括（）。
互连工艺中AL的制备可选用（）。
三光检查主要是检查芯片粘贴和引线焊接之后有无各种废品。
进行沟槽填充常用的金属材料是（）。
IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是（）。
封装工艺中，银浆固化的温度为（）。
硅烷法制备高纯硅的步骤不包括哪一项？（）
消除鸟嘴效应的方法有（）。
