最新试题
掺杂后退火时间一般在()。
IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是()。
CMP的设备构成包括()。
刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移?()
当许多损伤区连在一起时就会形成连续的非晶层,开始形成连续非晶层的注入剂量称为()。
目前制备SOI材料的主流技术有几种?()
硅暴露在空气中,在室温下即可产生二氧化硅层,厚度约为()。
下面哪些元素属于半径较小的杂质原子?()
光刻工艺对准误差包括()。
消除鸟嘴效应的方法有()。