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光刻技术中的反刻工艺,通常应用于()的情况。
MOS管是一种电流型半导体器件,BJT是一种电压型半导体器件。
PMOS的基底是p型半导体,所以叫PMOS。
异质结是由至少两种不同禁带宽度的半导体相互接触而形成的。
内光电效应
TEM观测与SEM相同,对样品厚度没有要求。
猝灭剂
激活剂
光生伏特效应
当一个NPN型BJT工作在电流放大模式下时,其()的pn结上的电压方向是反向偏置的