图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线，请画出Id2的大致变化，并说明Id1和Id2有什么不同，并解释不同的主要原因。

BiCMOS技术就是将（）和（）的优良性能集中在同一块集成电路器件中。BiCMOS综告了CMOS结构的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件结构的高电流驱动能力。

集成电路电阻可以通过（）产生。

根据图，给出M2管的漏极电流表达式。

版图DRC、ERC和LVS的意义是什么？

材料根据流经材电流的不同可分为三类（）。

从设计的观点出发，版图设计规则应包括哪些部分？

试用电导率为102/（Ω·cm），厚1μm的材料设计1kΩ的电阻，设电阻宽1μm，求其长。

目前集成电路版图设计的主流工具有哪些？

由于衬底材料的缘故会自动产生电容，这种电容称为（）。