根据氧化剂的不同，热氧化可分为（）、（）和（）。

填空题根据氧化剂的不同，热氧化可分为（）、（）和（）。

1.填空题热氧化工艺的基本设备有三种（）、（）和（）。

2.填空题制备半导体级硅的过程：1、（）；2、（）；3、（）。

3.填空题晶圆制备中的整型处理包括（）、（）和（）。

4.填空题影响CZ直拉法的两个主要参数是（）和（）。

5.填空题CZ直拉法的目的是（）。

6.填空题CZ直拉法生长单晶硅是把（）变为（）并且（）的固体硅锭。

7.填空题从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（）、（）和（）。

8.填空题晶圆制备的九个工艺步骤分别是（）、整型、（）、磨片倒角、刻蚀、（）、清洗、检查和包装。

9.填空题晶圆的英文是（），其常用的材料是（）和（）。

10.填空题单晶硅生长常用（）和（）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（）。