在图中，若所有的晶体管都工作在饱和区，画出Vx从一个大的正值下降时Ix的草图。

MOS器件存在哪些二阶效应？

图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线，请画出Id2的大致变化，并说明Id1和Id2有什么不同，并解释不同的主要原因。

在图中，若所有的晶体管都工作在饱和区，求M4的漏电流。

什么是电阻率？它的单位是什么（国际标准单位制）？

由硅片生产的半导体产品，又被称为（）。

试述两种传输线电感，比较其优缺点。

什么是MOS器件的体效应？

材料根据流经材电流的不同可分为三类（）。

设计一个CMOS差分放大器电路，写出其对应的SPICE描述语句并作差模电流-电压特性分析。