硅片上的氧化物主要通过（）和（）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的...

填空题硅片上的氧化物主要通过（）和（）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（）。

1.填空题列出热氧化物在硅片制造的4种用途（）、（）、场氧化层和（）。

2.填空题选择性氧化常见的有（）和（），其英语缩略语分别为LOCOS和（）。

3.填空题用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分（）、（）、气体分配系统、尾气系统和（）。

4.填空题根据氧化剂的不同，热氧化可分为（）、（）和（）。

5.填空题热氧化工艺的基本设备有三种（）、（）和（）。

6.填空题制备半导体级硅的过程：1、（）；2、（）；3、（）。

7.填空题晶圆制备中的整型处理包括（）、（）和（）。

8.填空题影响CZ直拉法的两个主要参数是（）和（）。

9.填空题CZ直拉法的目的是（）。

10.填空题CZ直拉法生长单晶硅是把（）变为（）并且（）的固体硅锭。