集成电路制造中掺杂类工艺有（）和（）两种。

填空题集成电路制造中掺杂类工艺有（）和（）两种。

1.填空题扩散是物质的一个基本性质，描述了（）的情况。其发生有两个必要条件（）和（）。

2.填空题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。

3.填空题扩散是物质的一个基本性质，分为三种形态（）扩散、（）扩散和（）扩散。

4.填空题刻蚀剖面指的是（），有两种基本的刻蚀剖面（）刻蚀剖面和（）刻蚀剖面。

5.填空题刻蚀是用（）或（）有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。

6.填空题随着铜布线中大马士革工艺的引入，金属化工艺变成刻蚀（）以形成一个凹槽，然后淀积（）来覆盖其上的图形，再利用（）把铜平坦化至ILD的高度。

7.填空题在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。

8.填空题光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。

9.填空题CMP是一种表面（）的技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片和抛光头之间有（），并同时施加（）。

10.填空题硅片平坦化的四种类型分别是（）、部分平坦化、（）和（）。