判断题在刻蚀中用到大量的化学气体,通常用氟刻蚀二氧化硅。
您可能感兴趣的试卷
最新试题
说明MOS器件噪声的来源、成因及减小方法。
题型:问答题
设计一个CMOS差分放大器电路,写出其对应的SPICE描述语句并作差模电流-电压特性分析。
题型:问答题
试用电导率为102/(Ω·cm),厚1μm的材料设计1kΩ的电阻,设电阻宽1μm,求其长。
题型:问答题
规定版图几何设计规则的意义是什么?
题型:问答题
20世纪上半叶对半导体产业量展做出贡献的4种不同产业主要是()。
题型:多项选择题
版图DRC、ERC和LVS的意义是什么?
题型:问答题
BiCMOS技术就是将()和()的优良性能集中在同一块集成电路器件中。BiCMOS综告了CMOS结构的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件结构的高电流驱动能力。
题型:多项选择题
试述两种传输线电感,比较其优缺点。
题型:问答题
版图设计的基本前提是什么?
题型:问答题
把半导体级硅的多晶硅块,转换成一块大的单晶硅的过程,称作()。生长后的单晶硅被称为()。
题型:单项选择题