在晶体材料中，对于长程有序的原子模式最基本的实体就是（）。

目前集成电路版图设计的主流工具有哪些？

从设计的观点出发，版图设计规则应包括哪些部分？

在图中，若所有的晶体管都工作在饱和区，求M4的漏电流。

BiCMOS技术就是将（）和（）的优良性能集中在同一块集成电路器件中。BiCMOS综告了CMOS结构的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件结构的高电流驱动能力。

试述两种传输线电感，比较其优缺点。

说明MOS器件噪声的来源、成因及减小方法。

利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×12μm薄氧化层的正中间构成一个MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算栅极电容。

什么是电阻率？它的单位是什么（国际标准单位制）？

根据图，给出M2管的漏极电流表达式。