A、0.0008%
B、0.021%
C、0.77%
D、2.11%
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A、强度硬度下降,塑性韧性提高
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C、强度韧性提高,塑性韧性下降
D、强度韧性下降,塑性硬度提高
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C、减小其淬透性
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A、温度
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C、锚具构造
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A、L
B、S
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最新试题
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni>>/ND-NA/时,半导体具有()半导体的导电特性。
属于晶体缺陷中面缺陷的是()
制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括()
那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()
热处理中氧沉淀的形态不包括()
下列是晶体的是()。
在通常情况下,GaN呈()型结构。
一块半导体寿命τ=15µs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()。
表面态中性能级位于费米能级以上时,该表面态为();
载流子的扩散运动产生扩散电流,漂移运动产生()电流。