A、低碳低合金钢
B、中碳低合金钢
C、高碳低合金钢
D、低碳中合金钢
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A、调质
B、淬火+低温回火
C、渗碳
D、渗碳后淬火+低温回火
A、Acl+30—50C
B、Ac3+30—50C
C、Accm+30—50C
D、T再+30—50C
A、强度硬度下降,塑性韧性提高
B、强度硬度提高,塑性韧性下降
C、强度韧性提高,塑性韧性下降
D、强度韧性下降,塑性硬度提高
A、晶粒的相对滑动
B、晶格的扭折
C、位错的滑移
D、位错类型的改变
A、增大VK
B、增加淬透性
C、减小其淬透性
D、增大其淬硬性
A、等温退火
B、完全退火
C、球化退火
D、正火
A、温度
B、拉力
C、锚具构造
D、张拉锚固工艺
A、L
B、S
C、J
D、M
A、锚板
B、夹片
C、连接器
D、垫板
A、夹片锚具
B、镦头锚具
C、挤压锚具
D、锥塞锚具
最新试题
与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量()
在光线作用下,能使物体产生一定方向的电动势的现象称()
最有效的复合中心能级位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能级位置在()附近,常见的是少子陷阱。
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。
原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速()
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni>>/ND-NA/时,半导体具有()半导体的导电特性。
载流子的扩散运动产生扩散电流,漂移运动产生()电流。
表面态中性能级位于费米能级以上时,该表面态为();
把磷化镓在氮气氛中退火,会有氮取代部分的磷,这会在磷化镓中出现()。
可用作硅片的研磨材料是()