问答题简述石灰有特性及应用。
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最有效的复合中心能级位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能级位置在()附近,常见的是少子陷阱。
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如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。
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铸造多晶硅中氢的主要作用包括()
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一块半导体寿命τ=15µs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()。
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制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括()
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那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()
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影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
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下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量()
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硅片抛光在原理上不可分为()
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