A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
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A.5个
B.6个
C.8个
D.10个
A.属原位检测,直接在墙体上测试,测试结果综合反映了材料质量和施工质量
B.检测部位局部破损
C.直观性,可比性强
D.设备较轻
A.0.1mm
B.0.2mm
C.0.5mm
D.1mm
A.块材强度
B.砂浆强度
C.抹灰强度
D.砌体强度
A.0.05mm
B.0.25mm
C.0.5mm
D.0.1mm
A.30
B.45
C.60
D.75
A.50kN
B.60kN
C.80kN
D.100kN
A.2
B.3
C.4
D.5
A.测试时,应将剪切仪主机放入开凿好的孔洞中,并应使仪器的承压板与试件的砖块顶面重合
B.仪器轴线与砖块轴线应吻合开凿孔洞过长时,在仪器尾部应另加垫块
C.加荷的全过程宜为3min~7mim
D.操作剪切仪,应匀速施加水平荷载,并应直至试件和砌体之间产生相对位移,试件达到破坏状态
A.0.01
B.0.05
C.0.1
D.0.5
最新试题
如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为()。
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni>>/ND-NA/时,半导体具有()半导体的导电特性。
一块半导体寿命τ=15µs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()。
铸造多晶硅中的氧主要来源不包括()
那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是()
在通常情况下,GaN呈()型结构。
下列是晶体的是()。
铸造多晶硅中氢的主要作用包括()
制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括()