最新试题
热处理中氧沉淀的形态不包括()
题型:单项选择题
CZ法的主要流程工艺顺序正确的是()
题型:单项选择题
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。
题型:单项选择题
悬浮区熔的优点不包括()
题型:单项选择题
那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()
题型:单项选择题
与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量()
题型:单项选择题
属于晶体缺陷中面缺陷的是()
题型:单项选择题
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
题型:单项选择题
在通常情况下,GaN呈()型结构。
题型:单项选择题
原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速()
题型:单项选择题