改良西门子法的显著特点不包括（）

杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）

在光线作用下，能使物体产生一定方向的电动势的现象称（）

下列选项中，对从石英到单晶硅的工艺流程是（）

属于晶体缺陷中面缺陷的是（）

表面态中性能级位于费米能级以上时，该表面态为（）；

载流子的扩散运动产生扩散电流，漂移运动产生（）电流。

可用作硅片的研磨材料是（）

下列哪个不是单晶常用的晶向（）

只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是（）。