单项选择题功率三角形中,功率因数角所对的边是()。
A、视在功率
B、瞬时功率
C、有功功率
D、无功功率
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1.单项选择题电阻与电感串联的交流电路中,当电阻与感抗相等时,则电压与电流的相位关系是()。
A、电压超前π/2
B、电压超前π/3
C、电压超前π/4
D、电压滞后π/4
2.单项选择题在纯电感交流电路中,电压保持不变,提高电源频率,电路中的电流将会()。
A、明显增大
B、略有增大
C、不变
D、减小
3.单项选择题正弦交流电路中,一般电压表的指示值是()。
A、最大值
B、瞬时值
C、平均值
D、有效值
4.单项选择题电容量的单位符号是()。
A、C
B、F
C、S
D、T
5.单项选择题纯电感电路中的电流与电压的相位关系是()。
A.电压超前π/2
B.电压滞后π/2
C.同相
D.反相
10.判断题一般情况下,空气隙的磁阻比铁芯的磁阻大得多。
最新试题
1947年,()等人制造了第一个晶体管。
题型:填空题
晶体管的全部应用模式中,共有()种放大倍数。
题型:填空题
MOS的输出特性曲线中,给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。
题型:判断题
()是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。
题型:填空题
当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时,漏极将失去对漏源电流的控制能力。
题型:判断题
P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。
题型:判断题
n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。
题型:判断题
绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。
题型:判断题
N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。
题型:判断题
半导体的主要特征有()()()和()。
题型:填空题