半导体工艺中常用的三种CVD反应器类型_考试资料网

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问答题半导体工艺中常用的三种CVD反应器类型

参考答案： APCVD：常压化学气相淀积
LPCVD: 低压化学气相淀积 &e...

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1.名词解释过刻蚀

参考答案：刻蚀薄膜时，晶圆内的刻蚀速率和薄膜厚度并不完全均匀，主刻蚀后，会有少部分的薄膜留下，移除剩余薄膜的过程称为过刻蚀。

2.名词解释负载效应

参考答案：等离子体图形化刻蚀过程中，刻蚀图形将影响刻蚀速率和刻蚀轮廓。

3.问答题简述IC芯片工艺过程中包括的刻蚀工艺过程

参考答案：（1）图形化和整面全*区刻蚀。
（2）单晶硅刻蚀用于浅槽隔离。
（3）多晶硅刻蚀用于界定栅和局部互连...

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4.名词解释通道效应

参考答案：如果一个电子以正确的角度进入通道，它只需要很少的能量就可以行进很长的距离。

5.问答题简述离子注入设备的主要组成部分

参考答案：气体系统、电机系统、真空系统、控制系统、射线系统、电荷中性化系统、晶圆处理系统

6.问答题简述离子注入工艺在元器件中的应用

参考答案：（1）阱区注入。
（2）对重度阱区注入，抑制结击穿效应。
（3）调整阈值电压。
（4）多晶...

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7.问答题离子注入后为什么要进行热退火

参考答案：离子注入的过程中，离子与晶格原子碰撞会使原子从晶格的束缚能中释放出来。热退火可以修复单晶结构并激活掺杂物。

8.问答题简述离子注入的通道效应和减小通道效应的方法

参考答案：通道效应：如果一个电子以正确的角度进入通道，它只需要很少的能量就可以行进很长的距离。
方法：
（1）...

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9.填空题离子注入的两种阻滞机制：（）

参考答案：原子核阻滞和电子阻滞

10.问答题离子注入工艺和扩散工艺相比的优点

参考答案：温度低，使用PR遮蔽层（扩散硬遮蔽层），非等向性掺杂轮廓，可独立控制掺杂浓度和结深，批量及单晶圆工艺（扩散为单晶圆工艺）