晶体管的全部应用模式中，共有（）种放大倍数。

MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。

P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

1947年，（）等人制造了第一个晶体管。

MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。

MOS管阈值电压的单位是eV。

N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。

双极型晶体管使用中，电流最大的极是（），电流最小的极是（）。

理想的MOS管，栅极加上偏压之后，沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。