N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。

MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压，即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。

理想的MOS管，栅极加上偏压之后，沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。

双极型晶体管内部有（）个极，（）个区，（）个PN结。

P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。

MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。

绝缘层材料的厚度会对MOS管的阈值电压产生影响。

双极型晶体管使用中，电流最大的极是（），电流最小的极是（）。