名词解释内建电场
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6.单项选择题对称三相交流电路无功功率的表达式sin3UIQ中的电压和电流是（）。
A、线电压和线电流
B、线电压和相电流
C、相电压和线电流
D、相电压和相电流
7.单项选择题一般情况下，电力系统的自然功率因数（）。
A、滞后且小于1
B、超前且小于1
C、等于1
D、等于零
8.单项选择题功率三角形中，功率因数角所对的边是（）。
A、视在功率
B、瞬时功率
C、有功功率
D、无功功率
9.单项选择题电阻与电感串联的交流电路中，当电阻与感抗相等时，则电压与电流的相位关系是（）。
A、电压超前π/2
B、电压超前π/3
C、电压超前π/4
D、电压滞后π/4
10.单项选择题在纯电感交流电路中，电压保持不变，提高电源频率，电路中的电流将会（）。
A、明显增大
B、略有增大
C、不变
D、减小
最新试题
MOS的输出特性曲线中，给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。
题型：判断题
双极型晶体管使用中，电流最大的极是（），电流最小的极是（）。
题型：填空题
半导体的主要特征有（）（）（）和（）。
题型：填空题
理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上，栅极分压占比小于50%。
题型：判断题
双极型晶体管内部有（）个极，（）个区，（）个PN结。
题型：填空题
晶体管正常使用过程中，处于正偏的PN结是（）结，处于反偏的PN结是（）结。
题型：填空题
处在饱和工作区的N型衬底材料MOS管，栅极将失去对漏源电流的控制作用。
题型：判断题
P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。
题型：判断题
氧化铝（Al2O3）的介电常数一般低于氮化硅（Si3N4）的介电常数。
题型：判断题
（）是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。
题型：填空题