名词解释本征激发
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1.名词解释本征半导体
2.名词解释半导体
3.单项选择题对称三相交流电路无功功率的表达式sin3UIQ中的电压和电流是()。
A、线电压和线电流
B、线电压和相电流
C、相电压和线电流
D、相电压和相电流
4.单项选择题一般情况下,电力系统的自然功率因数()。
A、滞后且小于1
B、超前且小于1
C、等于1
D、等于零
5.单项选择题功率三角形中,功率因数角所对的边是()。
A、视在功率
B、瞬时功率
C、有功功率
D、无功功率
6.单项选择题电阻与电感串联的交流电路中,当电阻与感抗相等时,则电压与电流的相位关系是()。
A、电压超前π/2
B、电压超前π/3
C、电压超前π/4
D、电压滞后π/4
7.单项选择题在纯电感交流电路中,电压保持不变,提高电源频率,电路中的电流将会()。
A、明显增大
B、略有增大
C、不变
D、减小
8.单项选择题正弦交流电路中,一般电压表的指示值是()。
A、最大值
B、瞬时值
C、平均值
D、有效值
9.单项选择题电容量的单位符号是()。
A、C
B、F
C、S
D、T
10.单项选择题纯电感电路中的电流与电压的相位关系是()。
A.电压超前π/2
B.电压滞后π/2
C.同相
D.反相
最新试题
第一块集成电路发明于()年。
题型:填空题
1947年,()等人制造了第一个晶体管。
题型:填空题
双极型晶体管使用中,电流最大的极是(),电流最小的极是()。
题型:填空题
处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管,漏极将失去对沟道电流的控制能力。
题型:判断题
()是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。
题型:填空题
P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。
题型:判断题
半导体具有的负的温度系数的发现年份是()年。
题型:填空题
理想的MOS管,栅极加上偏压之后,沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。
题型:判断题
半导体的主要特征有()()()和()。
题型:填空题
当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时,漏极将失去对漏源电流的控制能力。
题型:判断题