最新试题
MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。
题型:判断题
实际的MOS管,绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体,其中没有任何杂质和缺陷。
题型:判断题
N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。
题型:判断题
理想的MOS管,栅极加上偏压之后,沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。
题型:判断题
1947年,()等人制造了第一个晶体管。
题型:填空题
栅极材料与半导体材料的功函数差会因半导体材料的掺杂浓度变化而变化。
题型:判断题
半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。
题型:判断题
MOS管可以分为4类型,其中p沟增强型MOS的载流子主要是电子。
题型:判断题
N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
题型:判断题
氧化铝(Al2O3)的介电常数一般低于氮化硅(Si3N4)的介电常数。
题型:判断题