最新试题
处在饱和工作区的N型衬底材料MOS管,栅极将失去对漏源电流的控制作用。
题型:判断题
N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
题型:判断题
MOS管可以分为4类型,其中p沟增强型MOS的载流子主要是电子。
题型:判断题
MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。
题型:判断题
氧化铝(Al2O3)的介电常数一般低于氮化硅(Si3N4)的介电常数。
题型:判断题
第一块集成电路发明于()年。
题型:填空题
晶体管的全部应用模式中,共有()种放大倍数。
题型:填空题
MOS的输出特性曲线中,给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。
题型:判断题
双极型晶体管使用中,电流最大的极是(),电流最小的极是()。
题型:填空题
MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。
题型:判断题