半导体的主要特征有（）（）（）和（）。

实际的MOS管，绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体，其中没有任何杂质和缺陷。

双极型晶体管内部有（）个极，（）个区，（）个PN结。

处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管，漏极将失去对沟道电流的控制能力。

MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压，即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。

晶体管的全部应用模式中，共有（）种放大倍数。

MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

双极型晶体管使用中，电流最大的极是（），电流最小的极是（）。

栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。

P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。