最新试题
双极型晶体管使用中,电流最大的极是(),电流最小的极是()。
题型:填空题
氧化铝(Al2O3)的介电常数一般低于氮化硅(Si3N4)的介电常数。
题型:判断题
P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
题型:判断题
1947年,()等人制造了第一个晶体管。
题型:填空题
晶体管的全部应用模式中,共有()种放大倍数。
题型:填空题
n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。
题型:判断题
半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。
题型:判断题
当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时,漏极将失去对漏源电流的控制能力。
题型:判断题
绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。
题型:判断题
第一块集成电路发明于()年。
题型:填空题