最新试题
TEM观测与SEM相同,对样品厚度没有要求。
题型:判断题
GaAs晶体是()结构
题型:单项选择题
当一个NPN型BJT工作在电流放大模式下时,其()的pn结上的电压方向是反向偏置的
题型:单项选择题
半导体镀膜通常在真空中进行是为了减少杂质沉积的干扰。
题型:判断题
平衡态下在pn结中p区和n区的费米能级是相等的。
题型:判断题
AlAs的禁带宽度比GaAs大,晶格常数也更大。
题型:判断题
异质结是由至少两种不同禁带宽度的半导体相互接触而形成的。
题型:判断题
MBE只能用于III-V族化合物的生长。
题型:判断题
通常利用TEM观测的分辨率高于SEM。
题型:判断题
MOSFET开关的基本工作原理是通过()极电压来控制()极和()极之间的导电沟道的通断。
题型:单项选择题