GaAs晶体是（）结构

单项选择题GaAs晶体是（）结构

A.金刚石
B.闪锌矿
C.体心
D.面心

1.判断题硅中常见的B掺杂和As掺杂都是深能级掺杂。

2.判断题半导体镀膜通常在真空中进行是为了减少杂质沉积的干扰。

3.判断题PMOS的基底是p型半导体，所以叫PMOS。

4.判断题半导体中的价带空穴电流其实就是导带电子电流的一种等价说法。

5.判断题AlAs的禁带宽度比GaAs大，晶格常数也更大。

6.单项选择题MOSFET开关的基本工作原理是通过（）极电压来控制（）极和（）极之间的导电沟道的通断。

A.栅、源、漏
B.漏、源、栅
C.源、漏、栅
D.以上都不是

7.单项选择题当一个NPN型BJT工作在电流放大模式下时，其（）的pn结上的电压方向是反向偏置的

A.集电极到发射极
B.集电极到基极
C.基极到发射极
D.以上都不是

8.单项选择题一般说的14nm工艺线指的是MOSFET中的（）达到了14nm量级

A.栅极长度
B.漏极宽度
C.栅极宽度
D.以上都不是

9.判断题平衡态下在pn结中p区和n区的费米能级是相等的。

10.判断题所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体。