对于高纯锗探测器的描述，下列说法错误的是（）。

单项选择题对于高纯锗探测器的描述，下列说法错误的是（）。

A.高纯锗探测器是由Ge单晶制成
B.杂质浓度约为10⁵个原子/cm³
C.因为纯度高，所以可以有很大的结区，即敏感体积
D.耗尽层内的电场强度不是一致的

1.单项选择题下列对锂漂移探测器的工作条件和原理描述不正确的是（）。

A.锂漂移探测器不可以用来测量入射粒子的能量
B.Ge（Li）探测器须保存在低温下
C.Si（Li）探测器可在常温下保存
D.锂漂移探测器能量分辨率高于NaI探测器

2.单项选择题关于锂漂移探测器的工作原理，下列说法正确的是（）。

A.I区存在空间电荷
B.I区为耗尽层，但是电阻率低于10⁶Ω
C.I区为主要的探测器敏感区域
D.因为空间电荷的存在，平面型结构I区内不是均匀电场

3.单项选择题关于锂的漂移特性及P-I-N结形成，下列说法错误的是（）。

A.Li为施主杂质
B.锂离子是用于漂移成探测器的唯一可用离子
C.基体用N型半导体

4.单项选择题PN结半导体探测器通常采用哪种前置放大器？（）

A.电流型前置放大器
B.电压型前置放大器
C.电荷灵敏前置放大器
D.不需要使用前置放大器

5.单项选择题关于PN结半导体探测器，下列说法正确的是（）。

A.结区的电场为均匀电场
B.耗尽区的宽度与掺杂浓度无关
C.结区电容与外加电压无关
D.外加电压增大，耗尽层的宽度增加

6.单项选择题关于半导体作为探测器介质的物理性能，下列说法错误的是（）。

A.平均电离能比闪烁体探测器低
B.载流子数目服从泊松分布
C.电子迁移率与空穴迁移率相近
D.掺杂会大大降低半导体的电阻率

7.单项选择题下列哪两种性质是组成半导体探测器的关键？（）

A.高的电阻率，短的载流子寿命
B.高的电阻率，长的载流子寿命
C.低的电阻率，长的载流子寿命
D.低的电阻率，短的载流子寿命

8.单项选择题掺杂下列哪种元素的杂质半导体是属于间隙型的？（）

A.Li
B.B
C.P
D.Al

9.单项选择题与气体探测器相比，下列哪一项不是半导体探测器的优点？（）

A.能量分辨率好
B.对γ射线的探测效率高
C.结构紧凑
D.不易受射线损伤

10.单项选择题下列哪项不是闪烁探测器必备的构成部分？（）

A.光电倍增器件
B.组分恒定的气体环境
C.闪烁体
D.前置放大器