为什么半导体满带中的少量空状态可以用具有正电荷和一定质量的空穴来描述？

问答题为什么半导体满带中的少量空状态可以用具有正电荷和一定质量的空穴来描述？

1.问答题以硅的本征激发为例，说明半导体能带图的物理意义及其与硅晶格结构的联系，为什么电子从其价键上挣脱出来所需的最小能量就是半导体的禁带宽度？

2.问答题从能带底到能带顶，晶体中电子的有效质量将如何变化？外场对电子的作用效果有什么不同；

3.问答题简述有效质量与能带结构的关系；

能带越窄，有效质量越大，能带越宽，有效质量越小。

4.问答题有效质量对能带的宽度有什么影响，有人说："有效质量愈大，能量密度也愈大，因而能带愈窄.是否如此，为什么？

5.问答题一般来说，对应于高能级的能带较宽，而禁带较窄，是否如此，为什么？

6.问答题描述半导体中电子运动为什么要引入"有效质量"的概念，用电子的惯性质量描述能带中电子运动有何局限性。

7.问答题原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同，原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同。