A.上移
B.下移
C.不变
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A.比绝缘体的大
B.比绝缘体的小
C.和绝缘体的相同
A.改变禁带宽度
B.产生复合中心
C.产生空穴陷阱
D.产生等电子陷阱
A.1/4
B.1/e
C.1/e2
D.1/2
A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3,弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4
B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2,弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9
C.甲的施主杂质电离能是乙的16/3,弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3
D.甲的施主杂质电离能是乙的32/9,的弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8
A.施主
B.受主
C.复合中心
D.陷阱
E.两性杂质
A.电子;
B.空穴;
C.钠离子;
D.硅离子。
A.少数载流子反型状态,多数载流子耗尽状态,多数载流子堆积状态
B.多数载流子堆积状态,多数载流子耗尽状态,少数载流子反型状态
C.多数载流子耗尽状态,多数载流子堆积状态,少数载流子反型状态
D.少数载流子反型状态,多数载流子堆积状态,多数载流子耗尽状态
A.无关;
B.成正比;
C.成反比;
D.的平方成反比
最新试题
NPN型晶体管工作在放大状态时,基极应当()
NPN型三极管工作在放大状态时,要求发射结(),集电结()
温度升高时,三极管的β值(),导通电压VBE(on)()
三极管的两个PN结都正偏时,三极管可能处于()状态。
若三极管各电极对地的电位是VB=-2.3V,VC=-7V,VE=-2V,则该三极管的工作状态是()
NPN型三极管工作在饱和状态时,要求发射结(),集电结()
温度降低时,三极管的β值(),集电结反向饱和电流ICBO()
处于饱和状态的晶体管可通过()鉴别。
负载线是一条描述()的曲线。
锗三极管的饱和压降为()。