问答题为什么说洁净技术是半导体芯片制造过程中的一项重要技术？
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最新试题
第一块集成电路发明于（）年。
题型：填空题
P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。
题型：判断题
半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。
题型：判断题
绝缘层材料的厚度会对MOS管的阈值电压产生影响。
题型：判断题
理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上，栅极分压占比小于50%。
题型：判断题
MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。
题型：判断题
晶体管的全部应用模式中，共有（）种放大倍数。
题型：填空题
晶体管正常使用过程中，处于正偏的PN结是（）结，处于反偏的PN结是（）结。
题型：填空题
P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。
题型：判断题
MOS的输出特性曲线中，给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。
题型：判断题