处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管，漏极将失去对沟道电流的控制能力。

半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。

实际的MOS管，绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体，其中没有任何杂质和缺陷。

理想的MOS管，栅极加上偏压之后，沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。

1947年，（）等人制造了第一个晶体管。

P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。

MOS管阈值电压的单位是eV。

当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时，漏极将失去对漏源电流的控制能力。

MOS的输出特性曲线中，给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。

p型衬底材料的MOS管，其半导体的掺杂浓度增大，阈值电压随之增大。