A.THP=0.8~0.9TM
B.THP=0.8~1.0TM
C.THP=0.7~0.8TM
D.THP=0.5~0.6TM
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A.TS=0.8~0.9TM
B.TS=0.8~1.0TM
C.TS=0.7~0.8TM
D.TS=0.6TM
A.增加粉料粒度
B.减小粉料粒度
C.增大A值
D.升高烧结温度
A.与烧结主体形成固溶体
B.与烧结主体形成液相
C.与烧结主体形成化合物
D.与烧结主体形成络合物
A.氧化
B.催化
C.还原
D.中性
A.原始粉料的粒度
B.外加剂
C.烧结温度
D.烧结速度
A.原始粒度不均匀
B.烧成温度偏高
C.烧成温度偏低
D.烧结速度太快
A.控制烧结速率
B.控制粒晶
C.加适当的添加剂
D.改变温度
A.大晶粒界面与邻近低表面能和小曲率半径的晶面相比有效低的表面能
B.大晶粒界面与邻近高表面能和小曲率半径的晶面相比有效低的表面能
C.大晶粒界面与邻近低表面能和大曲率半径的晶面相比有效高的表面能
D.大晶粒界面与邻近高表面能和小曲率半径的晶面相比有效高的表面能
A.初期
B.中期
C.后期
A.少数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程
B.多数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程
C.晶粒不断成核长大的过程
D.少数大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程
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