互补CMOS 2输入与非门和伪NMOS 2输入与非门相比，正确的表述是（）。

单项选择题互补CMOS 2输入与非门和伪NMOS 2输入与非门相比，正确的表述是（）。

A.互补CMOS逻辑门的下降速度更快，静态功耗更高
B.互补CMOS逻辑的下降速度更快，静态功耗更低
C.伪NMOS逻辑的下降速度更快，静态功耗更高
D.伪NMOS逻辑的下降速度更快，静态功耗更低

1.多项选择题增加去耦电容可以抑制Ldi/dt效应，那么芯片内部去耦电容正确的放置方式是（）。

A.在芯片当中的任一位置上放置一个电容
B.靠近大的驱动器的地方应该放置去耦电容
C.电源线下方应该放置去耦电容
D.尽量远离要稳定的电源电压的电路

2.单项选择题芯片中通常把电源线和地线布线成纵横交错的网格状，以降低IR drop，其原理是（）。

A.可以减小各处电路的电源/地线上的寄生电阻
B.可以减小流过电源/地线上的电流
C.可以使得芯片各处的电源/地线上的寄生电阻相等
D.增大导线的对地电容，滤除电压的波动

3.多项选择题下列情形中会使得存在电容串扰时受害信号线受到更大干扰的是（）。

A.耦合电容更大
B.干扰信号摆幅大
C.受害信号线是低阻抗节点（被低的驱动电阻驱动）
D.干扰信号翻转速度快

4.单项选择题信号经过长导线的传播延时和导线长度的（）次方成正比。

A.1
B.2
C.3
D.0

5.单项选择题当导线延时超过逻辑门延时，信号翻转时间也比导线延时短是，应该采用下面哪种延时模型？（）

A.集总电容模型
B.分布rc模型
C.集总RC模型
D.看作理想导线

6.多项选择题数字集成电路中的寄生电感的影响主要考虑（）线上的寄生。

A.电源
B.地
C.时钟
D.数据信号

7.多项选择题下列因素会影响一条导线的总的寄生电容的有（）。

A.绝缘层的厚度
B.导线的宽度
C.导线之间的线间距
D.金属层的厚度

8.多项选择题当一个电路的静态功耗不可忽略时，关于使它一次翻转消耗的总能量最小的电源电压的表述正确的是（）。

A.应该充分降低VDD
B.能耗与VDD不是单调关系，存在一个最优的电源电压
C.过低的VDD会引起静态能耗增加
D.最优的VDD通常小于晶体管的阈值电压

9.单项选择题一个输入为0的CMOS反相器的PMOS管存在哪些会引起静态功耗的漏电流？（）

A.栅氧化层隧穿电流
B.亚阈值漏电流
C.栅极感应漏端漏电GIDL
D.pn结反偏漏电流（BTBT）

10.多项选择题一个数字电路的平均功耗和下列哪些量成正比？（）

A.开关活动性
B.工作频率
C.电路的寄生电容
D.全摆幅时的电源电压