当导线延时超过逻辑门延时，信号翻转时间也比导线延时短是，应该采用下面哪种延时...

单项选择题当导线延时超过逻辑门延时，信号翻转时间也比导线延时短是，应该采用下面哪种延时模型？（）

A.集总电容模型
B.分布rc模型
C.集总RC模型
D.看作理想导线

1.多项选择题数字集成电路中的寄生电感的影响主要考虑（）线上的寄生。

A.电源
B.地
C.时钟
D.数据信号

2.多项选择题下列因素会影响一条导线的总的寄生电容的有（）。

A.绝缘层的厚度
B.导线的宽度
C.导线之间的线间距
D.金属层的厚度

3.多项选择题当一个电路的静态功耗不可忽略时，关于使它一次翻转消耗的总能量最小的电源电压的表述正确的是（）。

A.应该充分降低VDD
B.能耗与VDD不是单调关系，存在一个最优的电源电压
C.过低的VDD会引起静态能耗增加
D.最优的VDD通常小于晶体管的阈值电压

4.单项选择题一个输入为0的CMOS反相器的PMOS管存在哪些会引起静态功耗的漏电流？（）

A.栅氧化层隧穿电流
B.亚阈值漏电流
C.栅极感应漏端漏电GIDL
D.pn结反偏漏电流（BTBT）

5.多项选择题一个数字电路的平均功耗和下列哪些量成正比？（）

A.开关活动性
B.工作频率
C.电路的寄生电容
D.全摆幅时的电源电压

6.单项选择题一个逻辑门输出从低电平向高电平翻转的过程中存在（）动态功耗，从高电平向低电平翻转的过程中存在（）动态功耗。

A.电容充电功耗和直流通路引起的功耗；直流通路引起的功耗
B.电容充电功耗和直流通路引起的功耗；电容充电功耗和直流通路引起的功耗
C.电容充电功耗；直流通路引起的功耗
D.直流通路引起的功耗；电容充电功耗和直流通路引起的功耗
E.电容充电功耗和直流通路引起的功耗；无

7.多项选择题芯片的功耗会影响下列哪些系统指标？（）

A.待机时间
B.散热成本
C.可靠性
D.设计复杂度

8.单项选择题组合逻辑路径存在分支时会使得路径的延时（）。

A.增大
B.减小
C.不变

9.单项选择题对于存在多管堆叠结构的大扇入逻辑门，应该把关键输入信号（最晚到达的信号）连接到（）。

A.内侧的晶体管上
B.外侧的晶体管上
C.尺寸最大的晶体管上

10.单项选择题一条组合逻辑路径，调整各级门的尺寸系数使得路径延时最短时对应的条件是（）。

A.所有逻辑门的尺寸系数取最小值
B.所有逻辑门的尺寸系数取面积允许的最大值
C.每级门的门努力都相等
D.门级门的逻辑努力都相等