问答题请解释什么是欧姆接触?如何实现?
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3.问答题试定性分析Si的电阻率与温度的变化关系。
4.单项选择题在晶体硅中掺入元素()杂质后,能形成N型半导体。
A.锗
B.磷
C.硼
D.锡
5.单项选择题对于一定的n型半导体材料,温度一定时,减少掺杂浓度,将导致()靠近Ei。
A.Ec
B.Ev
C.Eg
D.EF
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若三极管VBE>0,VBE<VCE,则该三极管的工作状态是()
题型:单项选择题
α是()的比值。
题型:单项选择题
三极管正常工作时,几乎相等的两种电流是()
题型:单项选择题
测得以硅三极管的基极电压为-1.7V,发射极电压为-1V,集电极电压为-5V,则该管为()
题型:单项选择题
PNP型三极管三只管脚的电位关系为VB>VC>VE,则三极管可能工作在()区。
题型:单项选择题
PNP型三极管工作在截止状态时,要求发射结(),集电结()
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NPN型三极管工作在放大状态时,要求发射结(),集电结()
题型:单项选择题
若三极管各电极对地的电位是VB=-2.3V,VC=-7V,VE=-2V,则该三极管的工作状态是()
题型:单项选择题
NPN型晶体管工作在放大状态时,基极应当()
题型:单项选择题
锗三极管的饱和压降为()。
题型:单项选择题