A.不同原因造成的能量展宽需要平方求和在开方,求总体效应
B.载流子统计涨落、漏电流和噪声均会造成探测器能量分辨率变差
C.不同原因造成的能量展宽可以直接相加求总体效应
D.载流子由于陷阱效应带来的涨落可以通过适当提高偏置电压减小
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A.平面型探测器,吸收位置不同但是输出信号基本相同
B.信号脉冲上升时间与入射带电粒子产生电子-空穴对的位置有关
C.同轴型探测器,吸收位置不同但是输出信号基本相同
D.输出电压脉冲信号是前沿不变的
A.平面型体积较大
B.同轴型体积较小
C.两者都不需要考虑空间电荷问题
D.对不同的结构形式,灵敏体积内的电场分布不同
A.它需要在低温下工作
B.它需要在低温下保存
C.工作时一般不能达到全耗尽状态
D.不属于PN结型探测器
A.高纯锗探测器是由Ge单晶制成
B.杂质浓度约为105个原子/cm3
C.因为纯度高,所以可以有很大的结区,即敏感体积
D.耗尽层内的电场强度不是一致的
A.锂漂移探测器不可以用来测量入射粒子的能量
B.Ge(Li)探测器须保存在低温下
C.Si(Li)探测器可在常温下保存
D.锂漂移探测器能量分辨率高于NaI探测器
A.I区存在空间电荷
B.I区为耗尽层,但是电阻率低于106Ω
C.I区为主要的探测器敏感区域
D.因为空间电荷的存在,平面型结构I区内不是均匀电场
A.Li为施主杂质
B.锂离子是用于漂移成探测器的唯一可用离子
C.基体用N型半导体
A.电流型前置放大器
B.电压型前置放大器
C.电荷灵敏前置放大器
D.不需要使用前置放大器
A.结区的电场为均匀电场
B.耗尽区的宽度与掺杂浓度无关
C.结区电容与外加电压无关
D.外加电压增大,耗尽层的宽度增加
A.平均电离能比闪烁体探测器低
B.载流子数目服从泊松分布
C.电子迁移率与空穴迁移率相近
D.掺杂会大大降低半导体的电阻率
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下列哪项不属于中子探测方法?()
测量β射线的活度,下列说法错误的是()。
吸收和散射对探测器活度测量也有影响,下列说法错误的是()。
下列关于反应堆中子源的描述错误的是()。
关于241Am-9Be中子源的描述不正确的是()。
关于自发裂变中子源的描述正确的是()。
下列对探测器本征探测效率没有影响的是()。
轫致辐射对γ能谱的影响,描述错误的是()。
小立体角法是测量α源活度的手段之一,关于此方法的描述错误的是()。
测量能量10keV的γ射线,观察到了在20keV处有一个明显的峰,对于这些计数的分析正确的是()。