集成电路技术综合练习章节练习(2019.04.21)

问答题
MOS管的实际组成是什么？基本参数是什么？
答案：由两个PN结和一个MOS电容组成的。
基本的参数是Lmin、Wmin和toxL：MOS工艺的特征尺寸（feat...
问答题
简述CMOS静态逻辑门功耗的构成。
答案：CMOS静态逻辑门的功耗包括静态功耗和动态功耗。静态功耗几乎为0。但对于深亚微米器件，存在泄漏电流引起的功耗，此泄漏电流...
问答题
为了形成具有一定阻值的多晶硅电阻，对多晶硅的掺杂有何要求？
答案：
轻掺杂
问答题
什么是有源电阻？哪些器件可担当有源电阻？
答案：采用晶体管进行适当的连接并使其工作在一定的状态，利用它的直流导通电阻和交流电阻作为电路中的电阻元件使用
双极性...
问答题
常见的曝光光源？
答案：
紫外光源、深紫外光源。
问答题
用什么参数衡量MOS器件的增益？
答案：
用gm衡量MOS器件的增益
问答题
集成电路中集总电感有几种形式？
答案：
2单匝线圈和圆形、方形或其他螺旋形多匝线圈
问答题
什么是赝晶或赝配HEMT？
答案：
因为In原子的晶格常量比Ga原子的大，因此GaInAs与GaAs或AlGaAs层之间存在着晶格不匹配的现象
问答题
什么是干法刻蚀？干法有几种刻蚀方法？
答案：用等离子体对薄膜线条进行刻蚀的一种新技术。
分为等离子体刻蚀、反应离子刻蚀RIE、磁增强反应离子刻蚀、高密度等...
问答题
为什么采用AlGaAs/GaAs异质结结构制造的双极型晶体管（HBT）具有好的性能？
答案：
异质结双极性晶体管的发射极效率主要由禁带宽度差决定，几乎不受掺杂比的限制